MICRON DDR3 SDRAM
發(fā)布時間:2021-03-17 17:13:30 瀏覽:1564
MICRON DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質的性能指標,MICRON DDR3有一個較低的工作頻率范圍。結果顯示可能是應用領域更高的傳輸速率來執(zhí)行系統,與此同時消耗相等或更少的系統輸出功率。
點對點設計構思的版圖具備獨特的內存需求,因而選擇正確的內存設計方法對工程項目的成功尤為重要。雖然DDR3 SDRAM是用作模塊的,但它能夠很容易地適應點對點應用領域。DDR3由DDR2演變而來。MICRON DDR3點對點系統相似于DDR2點對點系統,兩者之間需要相似的設計原理。然而,考慮到DDR3信令更為核心,DDR3點對點系統需要重點改進數據總線信令。
規(guī)格
寬X8,x16
工作電壓1.35v,1.5V
封裝形式FBGA
時鐘頻率933MHz,1066MHz
工作溫度0C至+95C,-40C至+95C,-40C至+105C,-40C至+125C
深圳市3118云頂集團創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業(yè)級內存條為特色產品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯系我們的銷售工程師:0755-83642657 QQ: 2295048674
推薦資訊
Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標準的軍用級開關二極管,認證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值(@25°C)包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C,浪涌電流(正弦波,8.3毫秒)2A,總功率耗散500mW,最大工作電流200mA,直流反向工作電壓180V。設計數據方面,采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝,引線材料為銅包鋼,表面處理是錫/鉛,熱阻抗最大70°C/W,極性為帶環(huán)的陰極端。
Minco公司推出的單層和雙層柔性電路產品,通過先進的設計和制造技術,在減輕重量和降低成本的同時,顯著提升了電路的性能與可靠性。單層柔性電路以簡單直接的設計,實現動態(tài)彎曲和重復運動,適合簡單應用場景;雙層柔性電路則提供更復雜的電路布局和更多功能集成,滿足復雜需求。
在線留言