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　　IGBT/MOSFET驅(qū)動器具有相當廣闊的市場和應用，例如不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、混合動力電動汽車/電動汽車(HEV/EV)、電動機/運動控制和電網(wǎng)(如變電站、太陽能和風力發(fā)電)。在醫(yī)療方面，它們常用于X光機、計算機斷層掃描(CT)、磁共振成像(MRI)、超聲波機、除顫器等。在鐵路和工業(yè)工程等領域也有廣闊的市場(如軋機和軋機、電弧焊機和焊機、鉆機和銑床、工業(yè)鍋爐和干燥機等)。

　　上述應用通常需要更高的功率。逆變器或轉(zhuǎn)換器通常使用“橋式”配置來產(chǎn)生線頻交流電，或為電機、變壓器和其他負載提供雙向PWM驅(qū)動。橋式電路通常包括IGBT或碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)MOSFET作為“高端”開關，其中發(fā)射極/源極是高壓 和高頻下的開關節(jié)點。因此，使用發(fā)射極/源極作為參考的柵極驅(qū)動PWM信號和相關的驅(qū)動電源軌必須與地面進行電氣隔離。額外的要求是，驅(qū)動電路和相關電源軌應不受 開關節(jié)點的高“dV/dt”的影響，并具有非常低的耦合電容。在許多情況下，橋式電路需要與控制電路進行安全機構級隔離。因此，驅(qū)動電路的絕緣柵極必須堅固耐用，在設計壽命內(nèi)不會因局部放電效應而出現(xiàn)任何明顯的退化。

　　為了解決這些問題，Murata村田制作所推出了MGJ系列DC-DC轉(zhuǎn)換器，為這些“高端”柵極驅(qū)動電路提供最佳的驅(qū)動電壓和隔離。MGJ系列DC-DC轉(zhuǎn)換器非常適合為橋式電路中的IGBT和碳化硅和氮化鎵MOSFET的“高側(cè)”和“低側(cè)”柵極驅(qū)動電路供電。它選擇非對稱輸出電壓以實現(xiàn)最佳驅(qū)動電平，以及最佳系統(tǒng)效率和 EMI。MGJ系列轉(zhuǎn)換器提供1W、2W、3W、6W等多種版本，以滿足不同客戶的要求，并具有工業(yè)級溫度額定值和結構，可提供更長的使用壽命和更高的可靠性。

　　MGJ1系列作為5.7kVDC隔離式1W SM柵極驅(qū)動DC-DC轉(zhuǎn)換器，具有相當高的隔離要求，通常用于電機驅(qū)動器和逆變器的橋式電路。MGJ2系列是5.2kVDC隔離式2W SM柵極驅(qū)動DC-DC轉(zhuǎn)換器，具有非常高的隔離度和dV/dt要求。憑借5.2kVDC的隔離測試電壓和國際公認的安全標準UL60950，它已成為最終產(chǎn)品安全隔離離子系統(tǒng)的關鍵部件。

　　MGJ3系列是5.2kVDC隔離式3W SM柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供可配置的雙輸出電壓，如+15V/-10V、+20V/-5V和+15V/-5V。其禁用/頻率同步引腳簡化了EMC濾波器設計，并支持短路保護和過載保護等功能。它可以在 -40 至 +105°C 的寬溫度范圍內(nèi)工作，從而保證在系統(tǒng)故障情況下的持久運行。

　　MGJ6擁有多個從屬產(chǎn)品系列，其中MGJ 14mm系列是10.2kVDC隔離式6W SM柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器，蠕變齡和電氣間隙距離為14mm，以及690VAC 增強絕緣等級，非常適合效率更高的690VAC工業(yè)配電系統(tǒng)。MGJ6D 是一款 5.7kVDC 隔離式 6W SM 柵極驅(qū)動 SM DC-DC 轉(zhuǎn)換器，可為 Rohm 器件提供 +18V/-2.5V 雙輸出電壓，為 Wolfspeed 器件提供 +15V/-4V 雙輸出電壓。

　　MGJ6三相橋系列是5.7kVDC 6W qUAD輸出隔離柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供四個24V隔離輸出電壓，適用于三相電路。MGJ6全橋系列是一款5.7kVDC隔離式6W t流通輸出柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供三個24V隔離輸出電壓，適用于全橋電路。MGJ6半橋系列是一款5.7kVDC隔離式6W雙輸出柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器，可提供兩個可配置的24V隔離輸出電壓，適用于半橋電路。

　　此外，村田還推出了采用Low Profile封裝的5.7kVDC隔離式6W柵極驅(qū)動SM DC-DC轉(zhuǎn)換器MGJ6 Low Profile系列，以及支持SIP/DIP封裝格式的5.7kVDC隔離式6W柵極驅(qū)動SIP/DIP DC-DC轉(zhuǎn)換器MGJ6 SIP/DIP系列。

　　Murata村田制作所推出的MGJ系列DC-DC轉(zhuǎn)換器支持電壓等級、功率、相位、封裝尺寸等多種規(guī)格，滿足各種應用需求，是IGBT與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)MOSFET的最佳搭檔。

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