F3L150R07W2E3_B11三級相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌
發(fā)布時(shí)間:2024-04-26 09:15:51 瀏覽:873
F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飛凌公司推出的三級相位支路IGBT模塊,具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢:
特征描述:
1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技術(shù),提高了阻斷電壓能力,達(dá)到650V;
2. 低電感設(shè)計(jì),有助于減少系統(tǒng)中的電磁干擾;
3. 低開關(guān)損耗,有助于提高效率和節(jié)能;
4. 低 VCEsat,減少了功率損耗;
5. 采用低熱阻Al2O3基板,有助于散熱,提高性能穩(wěn)定性;
6. 緊湊型設(shè)計(jì),占用空間小,適合需要高集成度的應(yīng)用;
7. PressFIT 壓接技術(shù),方便安裝維護(hù);
8. 集成的安裝夾使安裝更堅(jiān)固,提高了系統(tǒng)的可靠性。
優(yōu)勢:
1. 緊湊模塊的概念,適合空間有限的應(yīng)用場合;
2. 優(yōu)化客戶的開發(fā)周期,降低成本,有助于客戶節(jié)約時(shí)間和成本;
3. 靈活的配置,可以滿足不同客戶的需求,提供個(gè)性化的選擇。
onfiguration | 3-level |
Dimensions (width) | 48 mm |
Dimensions (length) | 56.7 mm |
Features | PressFIT ; Phase leg |
Housing | EasyPACK? 2B |
IC(nom) / IF(nom) | 150 A |
IC max | 150 A |
Qualification | Industrial |
Technology | IGBT3 - E3 |
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 1.45 V |
VCES / VRRM | 650 V |
VF (Tvj=25°C typ) | 1.55 V |
Voltage Class max | 650 V |
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Infineon英飛凌固態(tài)繼電器系列包括 HEXFET?功率MOSFET和IGBT封裝輸出光伏繼電器和光伏隔離器,使設(shè)計(jì)人員能夠靈活地創(chuàng)建自己的繼電器。
其中最重要的射頻分立器件包括PIN二極管、肖特基二極管和射頻晶體管。在選擇這些器件時(shí),工程師需要考慮各種標(biāo)準(zhǔn),例如性能、系統(tǒng)靈敏度、抗干擾性和效率。雖然組件性能當(dāng)然起著重要作用,但尺寸和多功能性也起著重要作用。隨著終端產(chǎn)品越來越小,各種封裝類型的高性能器件的可用性是關(guān)鍵。這使得設(shè)計(jì)人員能夠在太小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)所需的設(shè)計(jì)。
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