亚洲乱亚洲乱少妇无码,自拍偷自拍亚洲精品情侣,公交车强摁做开腿呻吟,国产日韩久久免费影院

DEI1282和DEI1284分立數(shù)字接口IC

發(fā)布時(shí)間:2024-06-13 09:13:22     瀏覽:1483

  DEI1282和DEI1284是基于高壓介電隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)的8通道分立數(shù)字接口IC,主要應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中。

DEI1282和DEI1284分立數(shù)字接口IC

型號:

Part NumberMarkingPackage (1)Requires 3KQ
Resistor on
DIN
Temperature
DEl1282-SESDEl1282-SES16 EP SOICNo-55℃/85℃
DEI1282-SMSDEl1282-SMS16 EP SOICNo-55℃/125℃
DEI1282-SES-GDEl1282-SES-G/e316 EP SOIC GNo-55℃/85℃
DEl1282-SMS-GDEl1282-SMS-G/e316 EP SOIC GNo-55℃/125℃
DEI1284-SES-GDEl1284-SES-G/e316 EP SOIC GYes-55℃/85℃
DEl1284-SMS-GDEI1284-SMS-G/e316 EP SOIC GYes-55℃/125℃

  技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用:

  兩款I(lǐng)C能夠感應(yīng)航空電子系統(tǒng)中常見的八種離散信號,并將其轉(zhuǎn)換為串行邏輯數(shù)據(jù)。

  每個(gè)輸入都可以通過串行數(shù)據(jù)輸入單獨(dú)配置為GND/OPEN或28V/OPEN格式輸入。

  分立數(shù)據(jù)通過具有3態(tài)輸出的8位串行移位寄存器從器件讀取。

  串行接口與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口(SPI)總線兼容。

  輸入配置與保護(hù):

  GND/OPEN模式:具有4.5V/10.5V的門限值和3V的遲滯。

  28V/OPEN模式:具有6V/12V的閾值和3V的遲滯。

  輸入電流為1mA,可防止繼電器觸點(diǎn)干擾。

  輸入不受雷電引起的瞬變保護(hù),符合相關(guān)航空電子規(guī)范的要求,特別是DO-160F第22節(jié)CatA3和B3。

  接口與兼容性:

  具有與SPI端口直接接口的能力。

  TTL/CMOS兼容的輸入和三態(tài)輸出。

  串行輸入可以擴(kuò)展移位寄存器。

  電源與封裝:

  邏輯電源電壓(VCC):3.3V,允許偏差為±5%。

  模擬電源電壓(VDD):12V至16.5V。

  封裝類型為16針?biāo)芰蟂OIC-.150BodyExp,即16LSOIC EP封裝,屬于表面貼裝類型。

  特殊功能與性能:

  內(nèi)置測試(BIT)功能,用于測試內(nèi)部電路,包括輸入比較器。

  DEI1282可承受直接施加到輸入引腳的D0160F3級(600V)應(yīng)力,無需額外保護(hù)元件。

  DEI1284版本在輸入端采用3K歐姆片外串聯(lián)電阻器工作,結(jié)合瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)器件,可實(shí)現(xiàn)更高的雷電級別和輸入濾波功能。

  數(shù)據(jù)速率與兼容性:

  支持8.6MHz的最大數(shù)據(jù)速率。

  這些特點(diǎn)使得DEI1282和DEI1284在航空電子系統(tǒng)中的應(yīng)用廣泛,尤其在需要高可靠性和高隔離性的環(huán)境中。同時(shí),其靈活的輸入配置和強(qiáng)大的保護(hù)功能也使其能夠應(yīng)對各種復(fù)雜的工作環(huán)境。

深圳市3118云頂集團(tuán)創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢提供DEI高端芯片訂貨渠道,部分備有現(xiàn)貨庫存。

推薦資訊

  • Ampleon面向多元化市場的射頻功率解決方案
    Ampleon面向多元化市場的射頻功率解決方案 2023-11-21 11:00:42

    隨著新產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn),我們繼續(xù)支持客戶對廣播、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療以及導(dǎo)航和安全無線電應(yīng)用的需求。

  • ADI 晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈流程
    ADI 晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈流程 2021-01-25 17:01:19

    ?20世紀(jì)50年代,鍺(GE)最開始是用作分立器件的半導(dǎo)體材料。ic集成電路的出現(xiàn)是半導(dǎo)體工業(yè)化向前邁開的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達(dá)拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產(chǎn)制造了第一個(gè)以鍺半導(dǎo)體材料為襯底的ic集成電路。

在線留言

在線留言