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Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-06-18 09:12:31     瀏覽：837

　　SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件，屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類(lèi)型，具有8個(gè)引腳，并以其獨(dú)特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進(jìn)行標(biāo)識(shí)。其主要規(guī)格包括：工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V，耐壓能力達(dá)到1000 V DC，電流容量為200mA/100mΩ，開(kāi)關(guān)頻率為2 MHz，絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外，該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，滿(mǎn)足各種電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用的需求。

Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

ABSOLUTE      MAXIMUM      RATINGS    TA=25    ℃,unless    otherwise    noted
ParameteSymbol5 sSteady StateUnit
Drain-Source VoltageVps-20V
Gate-Source VoltageVgs±5
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)?TA=25 ℃lb-7-5.3A
TA=85℃-3.6-3.9
Pulsed Drain CurrenDM-20
Continuous Source Current (Diode Conduction)ls-1.7-0.9
Maximum Power DissipationaTA=25℃Po2.01.1W
TA=85 ℃1.00.6
Operating Junction and Storage Temperature RangeTJT-55 to 150℃

THERMAL         RESISTANCE         RATINGS
ParameterSymbolTypicalMaximumUnit
Maximum Junction-to-Ambientat≤5sRmIA4562.5C/W
Steady State90110
Maximum Junction-to-Foot (Drain)Steady StateRmJF2530

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