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      Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET
      
                            
      發(fā)布時(shí)間：2024-08-21 09:18:47     瀏覽：1621
      
                        
      
                        
      
                            
      Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET
      　　Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是單 N 溝道增強(qiáng)型 
MOSFET，這些器件設(shè)計(jì)用于快速切換電路和需要低漏源電阻的應(yīng)用。以下是這些 MOSFET 的詳細(xì)介紹：
      　　特點(diǎn)：
      　　直接替代性：3N170 和 3N171 可以直接替換 INTERSIL 的同型號產(chǎn)品，方便用戶在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中進(jìn)行升級或替換。
      　　低漏源電阻：r_ds(on) ≤ 200Ω，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的電阻較低，有助于減少功率損耗。
      　　快速切換：t_d(on) ≤ 3.0ns，表明這些 MOSFET 能夠快速響應(yīng)開關(guān)信號，適用于高速開關(guān)應(yīng)用。
      　　絕對最大額定值(在 25°C，除非另有說明)：
      　　存儲溫度：-65 至 +150 °C，表明這些器件可以在廣泛的溫度范圍內(nèi)存儲。
      　　工作結(jié)溫：-55 至 +135 °C，說明這些 MOSFET 可以在極端溫度下工作。
      　　連續(xù)功率耗散：300mW，限制了器件在連續(xù)工作時(shí)的最大功率消耗。
      　　最大電流(漏到源)：30mA，限制了通過器件的最大電流。
      　　最大電壓：
      　　- 漏到柵：±35V
      　　- 漏到源：25V
      　　- 柵到源：±35V
      　　電氣特性(在 25°C，V_sb = 0V)：
      SYMBOLCHARACTERISTICMINTYPMAXUNITScONDITIONS
      BVossDrain to Source Breakdown Voltage25 

      		Vo=10μA,Ves =0V
      VosionDrain to Source "On"Voltage

      		2.0 p=10mA,VGs =10V
      VosahGate to Source
      Threshold Voltage      		3N1701.0 
      		2.0 Vos =10V,lo=10μA
      3N1711.5 
      		3.0 
      cssGate Leakage Current

      		10 pAVGs =-35V,Vos =0V
      lpssDrain Leakage Current "Off

      		10 nAVos =10V,VGs =0V
      oionDrain Current "On"10 

      		mAVcs=10V,Vos=10V
      gsForward Transconductance1000 

      		μSVos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz
      ds(onDrain to Source "On"Resistance

      		200 QVGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz
      CrssReverse Transfer Capacitance

      		1.3 pFVos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz
      CesInput Capacitance

      		5.0 Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz
      CdDrain to Body Capacitance

      		5.0 Voe =10V,f=1.0MHz
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                                    2025-08-01 09:02:01
                                    
        XTHILO系列是由Vanguard Electronics研發(fā)的高性能平面功率電感器，專為極端溫度（-55°C至+150°C）和高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低損耗、高效率和高可靠性。電感范圍為0.10至20μH，直流電阻0.45至9.6mΩ，額定電流4至75A，耐壓100VRMS，尺寸低剖面，溫度上升<40°C@110°C。適用于POL電源、低電壓FPGA、電池供電系統(tǒng)及高電流低剖面電源模塊，廣泛用于航空航天、軍工、工業(yè)自動(dòng)化和新能源領(lǐng)域。
        

                                
        

                            
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