亚洲乱亚洲乱少妇无码,自拍偷自拍亚洲精品情侣,公交车强摁做开腿呻吟,国产日韩久久免费影院

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-12-30 08:51:50     瀏覽：503

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路。

　　關(guān)鍵特性：

　　連續(xù)漏極電流 (ID)：10A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復(fù)二極管：內(nèi)置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對最大額定值(TC = 25°C，除非另有說明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態(tài))

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續(xù))

　　連續(xù)漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結(jié)溫范圍，工作/存儲 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規(guī)格(TJ = 25°C，除非另有說明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS)：10?A(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導(dǎo) (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開關(guān)時間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢3118云頂集團創(chuàng)展。

推薦資訊

  • Infineon英飛凌IGCM20F60GA三相智能電源模塊
    Infineon英飛凌IGCM20F60GA三相智能電源模塊 2024-05-07 09:16:21

    Infineon的IGCM20F60GA三相智能電源模塊是一款600V，20A的電源模塊，采用反向?qū)щ奍GBT技術(shù)，具有耐用的SOI柵極驅(qū)動器技術(shù)，內(nèi)置多種保護功能，適用于低功率電機驅(qū)動器，家電和工業(yè)自動化等領(lǐng)域。

  • CS101,CS102,CS103...CS109電流感應(yīng)變壓器Vanguard Electronics
    CS101,CS102,CS103...CS109電流感應(yīng)變壓器Vanguard Electronics 2024-12-27 09:14:00

    Vanguard Electronics的CS100系列提供高可靠性電流感應(yīng)變壓器，按MIL-PRF-27規(guī)范制造，適合軍事和航空航天應(yīng)用，設(shè)計緊湊扁平且便于自動放置；具有低熱膨脹、焊接內(nèi)部連接、防潮抗沖擊及浸入等特性，可定制設(shè)計和修改；電氣規(guī)格涵蓋電感值、最大電流等多項參數(shù)，工作溫度-55°C至+125°C、儲存溫度-60°C至+130°C；有多種封裝選項及類型，包括A-1至A-4封裝，提供通孔和鷗翼型封裝。

在線留言

在線留言